Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI8465DB-T2-E1

Номер детали производителя SI8465DB-T2-E1
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Упаковка 4-Microfoot
В наличии 242390 pcs
Техническая спецификация SI8465DBMaterial Compliance
Справочная цена (В долларах США)
1 10
$0.173 $0.148
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 242390 Vishay Siliconix SI8465DB-T2-E1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-Microfoot
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Упаковка / 4-XFBGA, CSPBGA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 450 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.5A (Ta)
Базовый номер продукта SI8465

Рекомендуемые продукты

SI8465DB-T2-E1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI8465DB-T2-E1

Связанные детали для SI8465DB-T2-E1