Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI8451DB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8451DB-T2-E1

Номер детали производителя SI8451DB-T2-E1
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
Упаковка 6-Micro Foot™ (1.5x1)
В наличии 6859 pcs
Техническая спецификация SI8451DBMaterial Compliance
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6859 Vishay Siliconix SI8451DB-T2-E1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Упаковка / 6-UFBGA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 750 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.8A (Tc)
Базовый номер продукта SI8451

Рекомендуемые продукты

SI8451DB-T2-E1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI8451DB-T2-E1

Связанные детали для SI8451DB-T2-E1