SI8429DB-T1-E1

Номер детали производителя	SI8429DB-T1-E1
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Упаковка	4-Microfoot
В наличии	238789 pcs
Техническая спецификация	Material Compliance SI8429DB

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.4	$0.358	$0.279	$0.23	$0.182

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 238789 Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Vgs (макс.)	±5V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	4-Microfoot
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Упаковка /	4-XFBGA, CSPBGA
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1640 pF @ 4 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	26 nC @ 5 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	8 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11.7A (Tc)
Базовый номер продукта	SI8429