Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI7980DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-GE3

Номер детали производителя SI7980DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 98032 pcs
Техническая спецификация Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SI7980DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10
$0.416 $0.342
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 98032 Vishay Siliconix SI7980DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V
Мощность - Макс 19.8W, 21.9W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1010pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта SI7980

Рекомендуемые продукты

SI7980DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация