Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7898DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7898DP-T1-E3

Номер детали производителя SI7898DP-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 123264 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Si7898DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.736 $0.661 $0.531 $0.436 $0.361
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 123264 Vishay Siliconix SI7898DP-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.9W (Ta)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Ta)
Базовый номер продукта SI7898

Рекомендуемые продукты

SI7898DP-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI7898DP-T1-E3

Связанные детали для SI7898DP-T1-E3