Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4833BDY-T1-GE3
SI4833BDY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4833BDY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4833BDY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 4631 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 14/Mar/2018SI4833BDY
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4631 Vishay Siliconix SI4833BDY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 3.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.75W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 350 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.6A (Tc)
Базовый номер продукта SI4833

Рекомендуемые продукты

SI4833BDY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация