Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4800BDY-T1-E3

Номер детали производителя SI4800BDY-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Упаковка 8-SOIC
В наличии 235235 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Si4800BDY
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.359 $0.315 $0.242 $0.191 $0.153
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 235235 Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.3W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.5A (Ta)
Базовый номер продукта SI4800

Рекомендуемые продукты

SI4800BDY-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI4800BDY-T1-E3

Связанные детали для SI4800BDY-T1-E3