Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4778DY-T1-GE3
SI4778DY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4778DY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4778DY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5190 pcs
Техническая спецификация Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SI4778DY
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5190 Vishay Siliconix SI4778DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 680 pF @ 13 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Tc)
Базовый номер продукта SI4778

Рекомендуемые продукты

SI4778DY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI4778DY-T1-GE3

Связанные детали для SI4778DY-T1-GE3