Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4712DY-T1-GE3

Номер детали производителя	SI4712DY-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Упаковка	8-SOIC
В наличии	6856 pcs
Техническая спецификация	Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 14/Mar/2018 SI4712DY

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6856 Vishay Siliconix SI4712DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	14.6A (Tc)
Базовый номер продукта	SI4712