SI4477DY-T1-GE3
| Номер детали производителя | SI4477DY-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO |
| Упаковка | 8-SOIC |
| В наличии | 165131 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI4477DY |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.578 | $0.515 | $0.402 | $0.332 | $0.262 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 165131 Vishay Siliconix SI4477DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±12V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 18A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4600 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 26.6A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI4477 |
Рекомендуемые продукты
-
SI4483ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SOVishay Siliconix -
SI4484EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOVishay Siliconix -
SI4487DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SOVishay Siliconix -
SI4470EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SOVishay Siliconix -
SI4472DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SOVishay Siliconix -
SI4485DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOVishay Siliconix -
SI4467DYBAA005AP
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIConsemi -
SI4470EY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SOVishay Siliconix -
SI4468-A2A-IMR
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4467DY
P-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
SI4484EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOVishay Siliconix -
SI4467-A2A-IM
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20WFQFNSilicon Labs -
SI4483EDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOVishay Siliconix -
SI4472DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SOVishay Siliconix -
SI4486EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SOVishay Siliconix -
SI4468-A2A-IM
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4480DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOICVishay Siliconix -
SI4467-A2A-IMR
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20WFQFNSilicon Labs -
SI4483EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOVishay Siliconix -
SI4486EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SOVishay Siliconix