Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4462DY-T1-GE3
SI4462DY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4462DY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4462DY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5369 pcs
Техническая спецификация SIL-0632014 16/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5369 Vishay Siliconix SI4462DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.3W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.15A (Ta)
Базовый номер продукта SI4462

Рекомендуемые продукты

SI4462DY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI4462DY-T1-GE3

Связанные детали для SI4462DY-T1-GE3