SI4447DY-T1-GE3
| Номер детали производителя | SI4447DY-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO |
| Упаковка | 8-SOIC |
| В наличии | 362957 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.307 | $0.272 | $0.208 | $0.165 | $0.132 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 362957 Vishay Siliconix SI4447DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 4.5A, 15V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.1W (Ta) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 805 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Базовый номер продукта | SI4447 |
Рекомендуемые продукты
-
SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOVishay Siliconix -
SI4453DY-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SOVishay Siliconix -
SI4455-C2A-GMR
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4446DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SOVishay Siliconix -
SI4446DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SOVishay Siliconix -
SI4453DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SOVishay Siliconix -
SI4455-B1A-FM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOVishay Siliconix -
SI4438-C2A-GMR
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4451DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SOVishay Siliconix -
SI4447DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SOVishay Siliconix -
SI4448DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SOVishay Siliconix -
SI4442DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOVishay Siliconix -
SI4448DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SOVishay Siliconix -
SI4438DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOVishay Siliconix -
SI4455-B1A-FMR
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4455-C2A-GM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4438-C2A-GM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4451DY-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SOVishay Siliconix -
SI4438DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOVishay Siliconix