Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4398DY-T1-GE3
SI4398DY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4398DY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4398DY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
Упаковка 8-SOIC
В наличии 4001 pcs
Техническая спецификация SI4398DY
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4001 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.6W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5620 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19A (Ta)
Базовый номер продукта SI4398

Рекомендуемые продукты

SI4398DY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI4398DY-T1-GE3

Связанные детали для SI4398DY-T1-GE3