Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4330DY-T1-GE3

Номер детали производителя	SI4330DY-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Упаковка	8-SOIC
В наличии	6696 pcs
Техническая спецификация	PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013 SI4330DY

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6696 Vishay Siliconix SI4330DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Мощность - Макс	1.1W
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	-
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	20nC @ 4.5V
FET Характеристика	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6.6A
конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта	SI4330