Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4108DY-T1-GE3
SI4108DY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4108DY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4108DY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 6554 pcs
Техническая спецификация SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SI4108DY
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6554 Vishay Siliconix SI4108DY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Cut Tape (CT)
Тип установки Surface Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 38 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20.5A (Tc)
Базовый номер продукта SI4108

Рекомендуемые продукты

SI4108DY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация