Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI3529DV-T1-GE3
SI3529DV-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI3529DV-T1-GE3

Номер детали производителя SI3529DV-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Упаковка 6-TSOP
В наличии 6447 pcs
Техническая спецификация SI3529DV
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6447 Vishay Siliconix SI3529DV-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-TSOP
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
Мощность - Макс 1.4W
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 205pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.5A, 1.95A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта SI3529

Рекомендуемые продукты

SI3529DV-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI3529DV-T1-GE3

Связанные детали для SI3529DV-T1-GE3