Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI3475DV-T1-E3

Номер детали производителя	SI3475DV-T1-E3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP
Упаковка	6-TSOP
В наличии	5783 pcs
Техническая спецификация	SI3475DV

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5783 Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	6-TSOP
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.61Ohm @ 900mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	2W (Ta), 3.2W (Tc)
Упаковка /	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	500 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	950mA (Tc)
Базовый номер продукта	SI3475