Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI3460DV-T1-GE3

Номер детали производителя	SI3460DV-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Упаковка	6-TSOP
В наличии	5852 pcs
Техническая спецификация	Mult Devices 15/Sep/2017 SI3460DV

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5852 Vishay Siliconix SI3460DV-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	450mV @ 1mA (Min)
Vgs (макс.)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	6-TSOP
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.1W (Ta)
Упаковка /	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.1A (Ta)
Базовый номер продукта	SI3460