SI3443CDV-T1-GE3
| Номер детали производителя | SI3443CDV-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP |
| Упаковка | 6-TSOP |
| В наличии | 550873 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI3443CDV |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.204 | $0.174 | $0.13 | $0.102 | $0.079 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 550873 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±12V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 6-TSOP |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Упаковка / | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 610 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12.4 nC @ 5 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.97A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI3443 |
Рекомендуемые продукты
-
SI3443CDV-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI3442BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6Fairchild Semiconductor -
SI3443DVTRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6Infineon Technologies -
SI3442DV
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6onsemi -
SI3443DVTR
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOPInfineon Technologies -
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6onsemi -
SI3442DV
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6Fairchild Semiconductor -
SI3445DV
P-CHANNEL MOSFETFairchild Semiconductor -
SI3443BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3443BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3443CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3442CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3442BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3443BDV-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3445ADV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOPVishay Siliconix -
SI3443DDV-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6Infineon Technologies -
SI3445ADV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOPVishay Siliconix