SI3129DV-T1-GE3

Номер детали производителя	SI3129DV-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Упаковка	6-TSOP
В наличии	383317 pcs
Техническая спецификация	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI3129DV

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.263	$0.231	$0.177	$0.14	$0.112

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 383317 Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	6-TSOP
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Упаковка /	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	805 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.8A (Ta), 5.4A (Tc)