Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI2321DS-T1-GE3
SI2321DS-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI2321DS-T1-GE3

Номер детали производителя SI2321DS-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
Упаковка SOT-23-3 (TO-236)
В наличии 4346 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceSI2321DS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4346 Vishay Siliconix SI2321DS-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3 (TO-236)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 710mW (Ta)
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 715 pF @ 6 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.9A (Ta)
Базовый номер продукта SI2321

Рекомендуемые продукты

SI2321DS-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI2321DS-T1-GE3

Связанные детали для SI2321DS-T1-GE3