SI2308BDS-T1-BE3

Номер детали производителя	SI2308BDS-T1-BE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Упаковка	SOT-23-3 (TO-236)
В наличии	417656 pcs
Техническая спецификация	Mult Devs Manufacturing Capacity Expansion 13/Mar/

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.224	$0.192	$0.144	$0.113	$0.087

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 417656 Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-BE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	SOT-23-3 (TO-236)
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 1.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Упаковка /	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	190 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.9A (Ta), 2.3A (Tc)