Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI1958DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1958DH-T1-E3

Номер детали производителя SI1958DH-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Упаковка SC-70-6
В наличии 3982 pcs
Техническая спецификация PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material ComplianceSI1958DH
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 3982 Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-70-6
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 1.3A, 4.5V
Мощность - Макс 1.25W
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 105pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3.8nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.3A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI1958

Рекомендуемые продукты

SI1958DH-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI1958DH-T1-E3

Связанные детали для SI1958DH-T1-E3