Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI1077X-T1-GE3
SI1077X-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI1077X-T1-GE3

Номер детали производителя SI1077X-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V SC89-6
Упаковка SC-89 (SOT-563F)
В наличии 520982 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceWafer Fab Addition 22/Jun/2015New Material 24/Mar/2021SI1077X-T1-GE3
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.202 $0.163 $0.111 $0.083 $0.062
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 520982 Vishay Siliconix SI1077X-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-89 (SOT-563F)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 330mW (Ta)
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 965 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31.1 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.75A (Ta)
Базовый номер продукта SI1077

Рекомендуемые продукты

SI1077X-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация