Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI1029X-T1-GE3
SI1029X-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI1029X-T1-GE3

Номер детали производителя SI1029X-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Упаковка SC-89 (SOT-563F)
В наличии 440639 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021Material ComplianceSi1029X
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.199 $0.169 $0.126 $0.099 $0.077
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 440639 Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-89 (SOT-563F)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Мощность - Макс 250mW
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 30pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 305mA, 190mA
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта SI1029

Рекомендуемые продукты

SI1029X-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI1029X-T1-GE3

Связанные детали для SI1029X-T1-GE3