Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI1023X-T1-GE3
SI1023X-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI1023X-T1-GE3

Номер детали производителя SI1023X-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Упаковка SC-89 (SOT-563F)
В наличии 588014 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021Material Compliance
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.175 $0.149 $0.111 $0.087 $0.067
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 588014 Vishay Siliconix SI1023X-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-89 (SOT-563F)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Мощность - Макс 250mW
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 370mA
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI1023

Рекомендуемые продукты

SI1023X-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI1023X-T1-GE3

Связанные детали для SI1023X-T1-GE3