Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFB9N65A
Vishay Siliconix

IRFB9N65A

Номер детали производителя IRFB9N65A
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 6703 pcs
Техническая спецификация Packaging InformationIRFB9N65A, SiHFB9N65A
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6703 Vishay Siliconix IRFB9N65A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 5.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 167W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1417 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.5A (Tc)
Базовый номер продукта IRFB9N65

Рекомендуемые продукты

IRFB9N65A DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFB9N65A

Связанные детали для IRFB9N65A