Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRC640PBF
Vishay Siliconix

IRC640PBF

Номер детали производителя IRC640PBF
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
Упаковка TO-220-5
В наличии 4457 pcs
Техническая спецификация IRC640
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4457 Vishay Siliconix IRC640PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-5
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-220-5
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Current Sensing
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта IRC640

Рекомендуемые продукты

IRC640PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRC640PBF

Связанные детали для IRC640PBF