Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > VS-GT50TP60N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GT50TP60N

Номер детали производителя VS-GT50TP60N
производитель Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Подробное описание IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
Упаковка INT-A-PAK
В наличии 6614 pcs
Техническая спецификация PowerModules_2DBarcode Mar/2015Plating Material Chg 03/Feb/2016Mult Dev OBS 19/Jun/2019VS-GT50TP60N
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay General Semiconductor - Diodes Division.У нас есть кусочки 6614 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP60N в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства INT-A-PAK
Серии -
Мощность - Макс 208 W
Упаковка / INT-A-PAK (3 + 4)
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 175°C (TJ)
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.03 nF @ 30 V
вход Standard
Тип IGBT Trench
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 85 A
конфигурация Half Bridge
Базовый номер продукта GT50

Рекомендуемые продукты

VS-GT50TP60N DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для VS-GT50TP60N

Связанные детали для VS-GT50TP60N