Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > VS-GB100TH120N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GB100TH120N

Номер детали производителя VS-GB100TH120N
производитель Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Подробное описание IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
Упаковка Double INT-A-PAK
В наличии 6912 pcs
Техническая спецификация PowerModules_2DBarcode Mar/2015Plating Material Chg 03/Feb/2016VS-GBYYY 12/Mar/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay General Semiconductor - Diodes Division.У нас есть кусочки 6912 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120N в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.35V @ 15V, 100A
Поставщик Упаковка устройства Double INT-A-PAK
Серии -
Мощность - Макс 833 W
Упаковка / Double INT-A-PAK (3 + 4)
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 150°C (TJ)
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 8.58 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 200 A
конфигурация Half Bridge
Базовый номер продукта GB100

Рекомендуемые продукты

VS-GB100TH120N DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для VS-GB100TH120N

Связанные детали для VS-GB100TH120N