VMMBZ16C1DD1HG3-08
Номер детали производителя | VMMBZ16C1DD1HG3-08 |
---|---|
производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Подробное описание | 14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P |
Упаковка | DFN1006-2B |
В наличии | 1421039 pcs |
Техническая спецификация | VMMBZ16C1DD1 to VMMBZ33C1DD1 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$0.134 | $0.103 | $0.064 | $0.044 | $0.034 | $0.03 | $0.029 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay General Semiconductor - Diodes Division.У нас есть кусочки 1421039 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VMMBZ16C1DD1HG3-08 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое) | 14V (Max) |
Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp | 27V |
Напряжение - пробой (мин.) | 16.2V |
Тип | Zener |
Поставщик Упаковка устройства | DFN1006-2B |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Защита линий электропередач | No |
Мощность - пиковый импульс | 15W |
Упаковка / | 0402 (1006 Metric) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs) | 650mA |
Емкость @ Частота | 14.5pF @ 1MHz |
Двунаправленные каналы | 1 |
Базовый номер продукта | VMMBZ16C |
Приложения | Automotive |
Рекомендуемые продукты
-
VMM40-24F
ROTARY ACTUATOR 40NM 24V 1.2MINHoneywell -
VMM40-24F/U
ROTARY ACTUATOR FOR DR/ZR VALVESHoneywell -
VMM30-24
ROTARY ACTUATOR 30NM 2,3MIN24VHoneywell -
VMMBZ16C1HD1HG3-08
14V;IR=0.1A;IP=4A;P=108W;CD=17PFVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMBZ33C1HD1-G3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMM90-09F
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LIIXYS -
VMM650-01F
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LIIXYS -
VMM300-03F
MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCBIXYS -
VMM85-02F
MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4IXYS -
VMMBZ33C1DD1-G3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMM45-02F
MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AAIXYS -
VMMBZ33C1HD1HG3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMBZ16C1DD1-G3-08
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMK-1225-BLKG
FET RF 5V 12GHZ 0402Broadcom Limited -
VMM90-09P
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LIIXYS -
VMMK-1225-TR1G
FET RF 5V 12GHZ 0402Broadcom Limited -
VMMK-1218-TR1G
FET RF 5V 10GHZ 0402Broadcom Limited -
VMMBZ16C1HD1-G3-08
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMBZ33C1DD1HG3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMK-1218-BLKG
FET RF 5V 10GHZ 0402Broadcom Limited