US1J
Номер детали производителя | US1J |
---|---|
производитель | Yangjie Technology |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Упаковка | DO-214AC (SMA) |
В наличии | 7160670 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
5000 | 25000 | 50000 | 100000 | 200000 | 500000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.007 | $0.007 | $0.006 | $0.006 | $0.006 | $0.005 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Yangjie Technology.У нас есть кусочки 7160670 Yangjie Technology US1J в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-214AC, SMA |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | US1 |
Рекомендуемые продукты
-
US1GHR3G
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
US1J M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTSC (Taiwan Semiconductor) -
US1J-M3/5AT
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
US1J R3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
US1J-HF
DIODE GEN PURP 600V 30A DO214ACComchip Technology -
US1J-13-F
DIODE GEN PURP 600V 1A SMADiodes Incorporated -
US1GWF-HF
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FComchip Technology -
US1J
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER 600SMC Diode Solutions -
US1G_R1_00001
DIODE GEN PURP 400V 1A SMAPanjit International Inc. -
US1J-E3/5AT
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
US1GWF-7
DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FDiodes Incorporated -
US1GHM3_A/H
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
US1J-AQ
DIODE GP 600V 1A DO214AC SMADiotec Semiconductor -
US1J
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
US1J-E3/61T
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
US1J-E3S/61T
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
US1J-13
DIODE GEN PURP 600V 1A SMADiodes Incorporated -
US1GHM2G
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACTSC (Taiwan Semiconductor) -
US1J
DIODE UFR SMA 600V 1ADiotec Semiconductor -
US1GHM3_A/I
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division