Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > TPD3215M
Transphorm

TPD3215M

Номер детали производителя TPD3215M
производитель Transphorm
Подробное описание GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Упаковка Module
В наличии 6144 pcs
Техническая спецификация Mult Devices EOL 02/Apr/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Transphorm.У нас есть кусочки 6144 Transphorm TPD3215M в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 30A, 8V
Мощность - Макс 470W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2260pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 28nC @ 8V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 70A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта TPD3215

Рекомендуемые продукты

TPD3215M DataSheet PDF

Техническая спецификация