Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TW140N120C,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TW140N120C,S1F

Номер детали производителя TW140N120C,S1F
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Упаковка TO-247
В наличии 18229 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$4.612 $4.166 $3.449 $3.004 $2.616
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 18229 Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C,S1F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (макс.) +25V, -10V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 10A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 107W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 175°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 691 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

TW140N120C,S1F DataSheet PDF

Ключевые слова для TW140N120C,S1F

Связанные детали для TW140N120C,S1F