TW083N65C,S1F
| Номер детали производителя | TW083N65C,S1F |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH |
| Упаковка | TO-247 |
| В наличии | 13535 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $4.807 | $4.417 | $3.73 | $3.319 | $3.044 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 13535 Toshiba Semiconductor and Storage TW083N65C,S1F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 600µA |
| Vgs (макс.) | +25V, -10V |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-247 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 113mOhm @ 15A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 111W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 873 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 28 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
TW09
THERM PAD 26.04MMX26.04MM 10/PKApex Microtechnology -
TW070J120B,S1Q
SICFET N-CH 1200V 36A TO3PToshiba Semiconductor and Storage -
TW09BLK12
SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECTAPEM Inc. -
TW08-PE1S
EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1Twin Industries -
TW08BLK12
SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECTAPEM Inc.