Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R104PB,L1XHQ

Номер детали производителя TPW1R104PB,L1XHQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Упаковка 8-DSOP Advance
В наличии 102541 pcs
Техническая спецификация Term of Use Statement
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.828 $0.744 $0.598 $0.492 $0.407 $0.379
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 102541 Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB,L1XHQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 500µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-DSOP Advance
Серии U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.14mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 960mW (Ta), 132W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4560 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Ta)
Базовый номер продукта TPW1R104

Рекомендуемые продукты

TPW1R104PB,L1XHQ DataSheet PDF

Техническая спецификация