Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TPCC8006-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8006-H(TE12LQM

Номер детали производителя TPCC8006-H(TE12LQM
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Упаковка 8-TSON Advance (3.3x3.3)
В наличии 6168 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod GuideTPCC8006-HEOL 08/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 6168 Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H(TE12LQM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Серии U-MOSVI-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 11A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Упаковка / 8-VDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2200 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 22A (Ta)
Базовый номер продукта TPCC8006

Рекомендуемые продукты

TPCC8006-H(TE12LQM DataSheet PDF

Техническая спецификация