TPC8012-H(TE12L,Q)
| Номер детали производителя | TPC8012-H(TE12L,Q) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP |
| Упаковка | 8-SOP (5.5x6.0) |
| В наличии | 6343 pcs |
| Техническая спецификация | TPC8012-HMosfets Prod Guide |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 6343 Toshiba Semiconductor and Storage TPC8012-H(TE12L,Q) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Серии | π-MOSV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 900mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1W (Ta) |
| упаковка | Original-Reel® |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Другие названия | TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 440pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200V |
| Подробное описание | N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
TPC8033-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8.2HM3/87A
TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8.2AHM3/87A
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8.2AHM3/86A
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC7.5AHM3_A/H
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8.2AHM3_A/I
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8018-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8021-H(TE12LQ,M
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC7.5AHM3_A/I
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8014(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8022-H(TE12LQ,M
MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8.2HM3/86A
TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8.2AHM3_A/H
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC8031-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC8026(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPC7.5HM3/86A
TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division -
TPC7.5HM3/87A
TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division