Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK55D10J1(Q)

Номер детали производителя	TK55D10J1(Q)
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 55A TO220
Упаковка	TO-220(W)
В наличии	6679 pcs
Техническая спецификация	TK55D10J1

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 6679 Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	TO-220(W)
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 27A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	140W (Tc)
Упаковка /	TO-220-3
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	5700 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	55A (Ta)
Базовый номер продукта	TK55D10