Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK4A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK4A80E,S4X

Номер детали производителя TK4A80E,S4X
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220S
Упаковка TO-220SIS
В наличии 186031 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.478 $0.427 $0.333 $0.275 $0.217 $0.203 $0.193 $0.185
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 186031 Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E,S4X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 400µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220SIS
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 35W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 650 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Ta)

Рекомендуемые продукты

TK4A80E,S4X DataSheet PDF