Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK20J60W,S1VE
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20J60W,S1VE

Номер детали производителя TK20J60W,S1VE
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Упаковка TO-3P(N)
В наличии 30184 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$2.176 $1.953 $1.6 $1.362 $1.149 $1.091
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 30184 Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60W,S1VE в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.7V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(N)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 165W (Tc)
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1680 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Ta)
Базовый номер продукта TK20J60

Рекомендуемые продукты

TK20J60W,S1VE DataSheet PDF