Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK13E25D,S1X(S
TK13E25D,S1X(S Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK13E25D,S1X(S

Номер детали производителя TK13E25D,S1X(S
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Упаковка TO-220-3
В наличии 128310 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod Guide
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.813 $0.731 $0.587 $0.483 $0.4 $0.372 $0.358 $0.349
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 128310 Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D,S1X(S в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 102W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Ta)
Базовый номер продукта TK13E25

Рекомендуемые продукты

TK13E25D,S1X(S DataSheet PDF

Техническая спецификация