Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK12A50E,S4X

Номер детали производителя	TK12A50E,S4X
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Упаковка	TO-220SIS
В наличии	86007 pcs
Техническая спецификация	TK12A50E

Справочная цена (В долларах США)

1	50	100	500	1000
$0.852	$0.687	$0.618	$0.481	$0.399

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 86007 Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E,S4X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1.2mA
Vgs (макс.)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	TO-220SIS
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	45W (Tc)
упаковка	Tube
Упаковка /	TO-220-3 Full Pack
Другие названия	TK12A50E,S4X(S TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X(M TK12A50ES4X TK12A50ES4X(S TK12A50ES4X(S-ND TK12A50ES5X TK12A50ES5X-ND
Рабочая Температура	150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1300pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	40nC @ 10V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	500V
Подробное описание	N-Channel 500V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	12A (Ta)