Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK10J80E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage

TK10J80E,S1E

Номер детали производителя TK10J80E,S1E
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Упаковка TO-3P(N)
В наличии 85222 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.088 $0.979 $0.802 $0.683 $0.576 $0.547 $0.526
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 85222 Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(N)
Серии π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 250W (Tc)
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)
Базовый номер продукта TK10J80

Рекомендуемые продукты

TK10J80E,S1E DataSheet PDF