TJ90S04M3L,LQ
| Номер детали производителя | TJ90S04M3L,LQ |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA |
| Упаковка | DPAK+ |
| В наличии | 98918 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.843 | $0.755 | $0.607 | $0.499 | $0.413 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 98918 Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L,LQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | +10V, -20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | DPAK+ |
| Серии | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 45A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 180W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7700 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
IPB11N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
2SJ067400L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3Panasonic Electronic Components -
NVMFS5C670NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFNonsemi -
SI4835DY
P-CHANNEL MOSFETFairchild Semiconductor -
STP10NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FPSTMicroelectronics -
IXTQ180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO3PIXYS -
CGD65A130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.Cambridge GaN Devices -
SPD03N60S5
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IXTP15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO220ABIXYS -
APT47N65SCS3G
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247Microsemi Corporation -
SIR408DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USVToshiba Semiconductor and Storage -
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6Infineon Technologies -
TJ90S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 90A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
IRF7453PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SOInfineon Technologies -
AOI208
MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO251AAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
STP30NF20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220ABSTMicroelectronics -
FQP32N20C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
TK62N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247Toshiba Semiconductor and Storage -
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SOInfineon Technologies