Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TJ60S04M3L(T6L1,NQ
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Номер детали производителя TJ60S04M3L(T6L1,NQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Упаковка DPAK+
В наличии 129316 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.562 $0.503 $0.392 $0.324 $0.256
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 129316 Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L(T6L1,NQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (макс.) +10V, -20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK+
Серии U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 90W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6510 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 125 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Ta)
Базовый номер продукта TJ60S04

Рекомендуемые продукты

TJ60S04M3L(T6L1,NQ DataSheet PDF

Техническая спецификация