TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Номер детали производителя | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Подробное описание | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK |
Упаковка | DPAK+ |
В наличии | 151130 pcs |
Техническая спецификация | Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
2000 | 6000 | 10000 |
---|---|---|
$0.293 | $0.282 | $0.275 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 151130 Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Vgs (макс.) | +10V, -20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK+ |
Серии | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8mOhm @ 15A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 68W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3950 pF @ 10 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Ta) |
Базовый номер продукта | TJ30S06 |
Рекомендуемые продукты
-
TPH3212PS
GANFET N-CH 650V 27A TO220ABTransphorm -
AUIRLZ24NSTRL
AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFETInternational Rectifier -
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363Vishay Siliconix -
SPA16N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3Infineon Technologies -
IPU60R950C6AKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3Infineon Technologies -
FQD2N90TM
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAKonsemi -
STP13NK50Z
MOSFET N-CH 500V 11A TO220ABSTMicroelectronics -
TK5R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHMToshiba Semiconductor and Storage -
APT15F60S
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAKMicrosemi Corporation -
UJ4SC075005L8S
SICFET N-CH 750V 120A TOLLQorvo -
UPA1902TE-T1-A
TRANSISTORRenesas Electronics America Inc -
FDMC5614P
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLPonsemi -
AUIRLR3705ZTRL
MOSFET N-CH 55V 42A DPAKInternational Rectifier -
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAKInfineon Technologies -
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAKInfineon Technologies -
STD38NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 38A DPAKSTMicroelectronics -
AONS21307
PAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
MTV32N25E
N-CHANNEL POWER MOSFETonsemi -
TJ30S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 30A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
IRF9530S
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAKVishay Siliconix