Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TJ30S06M3L(T6L1,NQ
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Номер детали производителя TJ30S06M3L(T6L1,NQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Упаковка DPAK+
В наличии 151130 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015
Справочная цена (В долларах США)
2000 6000 10000
$0.293 $0.282 $0.275
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 151130 Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (макс.) +10V, -20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK+
Серии U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.8mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 68W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3950 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Ta)
Базовый номер продукта TJ30S06

Рекомендуемые продукты

TJ30S06M3L(T6L1,NQ DataSheet PDF

Техническая спецификация