Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SSM3K59CTB,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K59CTB,L3F

Номер детали производителя SSM3K59CTB,L3F
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Упаковка CST3B
В наличии 887725 pcs
Техническая спецификация SSM3K59CTB
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.147 $0.119 $0.081 $0.061 $0.046 $0.042 $0.039
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 887725 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB,L3F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства CST3B
Серии U-MOSVII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Ta)
Упаковка / 3-SMD, No Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 130 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 1.1 nC @ 4.2 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Ta)
Базовый номер продукта SSM3K59

Рекомендуемые продукты

SSM3K59CTB,L3F DataSheet PDF

Техническая спецификация