Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > RN4987FE,LF(CB
RN4987FE,LF(CB Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN4987FE,LF(CB

Номер детали производителя RN4987FE,LF(CB
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Упаковка ES6
В наличии 1597427 pcs
Техническая спецификация RN4987FE
Справочная цена (В долларах США)
1 10 25 100 250 500 1000
$0.121 $0.109 $0.078 $0.061 $0.038 $0.033 $0.022
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1597427 Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CB в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства ES6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 10 kOhms
Мощность - Макс 100mW
упаковка Cut Tape (CT)
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Свойства продукта Значение атрибута
Другие названия RN4987FE(T5LFT)CT
RN4987FE(T5LFT)CT-ND
RN4987FELF(CBCT
RN4987FELF(CTCT
RN4987FELF(CTCT-ND
Тип установки Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL) 1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления 16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход 250MHz, 200MHz
Подробное описание Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA

Рекомендуемые продукты

RN4987FE,LF(CB DataSheet PDF

Техническая спецификация