Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > RN2961(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961(TE85L,F)

Номер детали производителя RN2961(TE85L,F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Упаковка US6
В наличии 2111509 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
3000 6000 15000 30000 75000 150000
$0.033 $0.03 $0.027 $0.025 $0.022 $0.021
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 2111509 Toshiba Semiconductor and Storage RN2961(TE85L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства US6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 4.7kOhms
Резистор - основание (R1) 4.7kOhms
Мощность - Макс 200mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 200MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта RN2961

Рекомендуемые продукты

RN2961(TE85L,F) DataSheet PDF

Ключевые слова для RN2961(TE85L,F)

Связанные детали для RN2961(TE85L,F)